該光刻機可廣泛用于MEMS和光電子，例如LED生產。它經過**設計，方便處理各種非標準基片、例如混合、高頻元件和易碎的III-V族材料，包括砷化鎵和磷化銦。而且該設備可通過選配升級套件，實現紫外納米壓印光刻。它具有以下亮點：高分辨率掩模對準光刻，特征尺寸優于0.5微米、裝配SUSS的單視場顯微鏡或分視場顯微鏡，實現快速準確對準、針對厚膠工藝進行優化的高分辨光學系統、可選配通用光學器件，在不同波長間進行快速切換等。
采用三柔性支點實現高精度自動調平；真空接觸自動曝光；樣片升降、調平、接觸、曝光、復位實現自動化控制；采用積木錯位蠅眼透鏡實現高均勻照明；可連續設定分離間隙；采用雙目雙視場顯微鏡實現高對準精度。整機具有性能可靠、操作方便、自動化程度高等特點。
光刻機通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小后映射到硅片上，不同光刻機的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后使用化學方法顯影，得到刻在硅片上的電路圖（即芯片）。
一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、激光刻蝕等工序。經過一次光刻的芯片可以繼續涂膠、曝光。越復雜的芯片，線路圖的層數越多，也需要更精密的曝光控制過程。
紫外光刻機工作原理
在加工芯片的過程中，光刻機通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小后映射到硅片上，然后使用化學方法顯影，得到刻在硅片上的電路圖。
一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、激光刻蝕等工序。經過一次光刻的芯片可以繼續涂膠、曝光。越復雜的芯片，線路圖的層數越多，也需要更精密的曝光控制過程。
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